半導體制作中的石墨制品大揭秘
    在半導體制作的國際里，石墨制品扮演著至關重要的人物。高純石墨制品在第三代半導體單晶成長設備中有著廣泛的運用，尤其是在碳化硅（SiC）單晶成長爐中。
SiC單晶成長的石墨坩堝和加熱器
    在制備SiC單晶的過程中，PVT（物理氣相傳輸）辦法是最老練和常用的技能。這種辦法運用感應線圈加熱，經(jīng)過渦流效果使高密度石墨發(fā)熱體升溫。碳化硅粉體被填滿在石墨坩堝的底部，而碳化硅籽晶則粘結在坩堝蓋的內(nèi)部。經(jīng)過調(diào)節(jié)外部石墨氈的溫度，可以使碳化硅質料處于高溫區(qū)，而籽晶則處于低溫區(qū)。
    在這個過程中，高純石墨坩堝、碳纖維硬氈、籽晶托等都是必不可少的。這些石墨制品不僅需求高純度，還要能夠承受高溫而不污染SiC質料和晶體。為了防止石墨在高溫下受到塵埃和雜質的影響，一般會在它們的外表涂上高純度、高致密的涂層。
外延成長的石墨盤
    外延工藝是指在單晶襯底上成長一層與襯底具有相同晶格擺放的單晶資料。在硅和碳化硅的外延工藝中，晶片一般承載在石墨盤上。這些石墨盤有桶式、煎餅式和單晶片等多種類型。
離子注入設備的石墨部件
    離子注入是一種改變資料表層物質特性的工藝，經(jīng)過將硼、磷、砷等離子束加速到必定能量，然后注入晶圓資料的表層內(nèi)來實現(xiàn)。離子注入設備的部件需求具有優(yōu)異耐熱性、導熱性和低雜質含量的特性。高純石墨因其超卓的物理功能，是這些部件的理想挑選。
等離子蝕刻設備的石墨部件
    等離子蝕刻是一種在單晶襯底上成長一層與襯底具有相同晶格擺放的單晶資料的技能。在這個過程中，晶片相同需求承載在石墨盤上。石墨盤的類型有桶式、煎餅式和單晶片等多種挑選。
柔性石墨箔 
    柔性石墨箔由天然膨脹石墨制成，在半導體運用中有著廣泛的運用。它可以提高體系和工藝的功能，降低能耗并保證可靠性。柔性石墨箔可用于半導體生產(chǎn)設備中的保溫筒、隔熱資料、柔性層、密封資料等各種零部件。
    總之，石墨制品在半導體制作中扮演著至關重要的人物，無論是SiC單晶成長、外延工藝仍是離子注入和等離子蝕刻，都離不開這些高功能的石墨資料。