中科院石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展,溫度成功降低到750℃
中科院石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展,溫度成功降低到750℃
近日,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展。
信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)首次在較低溫度(750℃)條件下采用化學(xué)氣相沉積外延成功制備6英寸無(wú)褶皺高質(zhì)量石墨烯單晶晶圓。
上海微系統(tǒng)所研究團(tuán)隊(duì)采用藍(lán)寶石作為襯底成功制備出具有更強(qiáng)催化能力的銅鎳單晶薄膜,成功將外延生長(zhǎng)石墨烯單晶的生長(zhǎng)溫度從1000℃ 成功降低到750℃,其制備的6英寸石墨烯單晶薄膜無(wú)褶皺,無(wú)顆粒污染,電學(xué)性能可以與高溫條件下得到的石墨烯相媲美。
單晶石墨烯晶圓的批量化制備是石墨烯在電子學(xué)領(lǐng)域規(guī)?;瘧?yīng)用的前提,低溫外延制備晶圓級(jí)石墨烯單晶對(duì)于推動(dòng)石墨烯在電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。
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